Memoria RAM, 4GB, DDR4, SO-DIMM, 2666 MHZ, CL19, 1.2V. ( KVR26S19S6/4)

KVR26S19S6/4

Especificaciones: • CL (IDD): 19 ciclos • Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45.75ns (min.) • Actualizar a activo / Actualizar: 350ns (min.) • Tiempo de comando (tRFCmin): • Tiempo activo de fila (tRASmin): 32ns (min.) • Potencia operativa máxima: TBD W * • Clasificación UL: 94 V - 0 • Temperatura de funcionamiento: 0o C a + 85o C • Temperatura de almacenamiento: -55o C a + 100o C

Descripción

El KVR26S19S6/4 de ValueRAM como un módulo de memoria DDR4-2666 CL19 SDRAM (DRAM sincrónico) 512M x 64-bit (4GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512M x 16-bit. El SPD está programado para el tiempo de latencia estándar JEDEC DDR4-2666 de 19-19-19 a 1.2V. Este SODIMM de 260 pines utiliza dedos de contacto dorados. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

Caracteristícas

• Fuente de alimentación: VDD = 1.2V típico
• VDDQ = 1.2V típico
• VPP = 2.5V típico
• VDDSPD = 2.2V a 3.6V
• Terminación nominal y dinámica en matriz (ODT) para señales de datos, luces estroboscópicas y máscaras
• Auto-actualización automática de baja potencia (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 incorporada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Se arregló la ráfaga de corte (BC) de 4 y la longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)
• Topología de vuelo
• Comando de control terminado y bus de direcciones
• PCB: Altura 1.18 ”(30.00 mm)
• Cumple con RoHS y no contiene halógenos