Memoria RAM, 4GB 1333MHz DDR3 Non-ECC CL9 SODIMM 1Rx8 (KVR13S9S8/4)

KVR13S9S8/4

Especificaciones: • CL (IDD): 9 ciclos • Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 49.5ns (min.) • Actualizar a activo / Actualizar: 260ns (min.) • Tiempo de comando (tRFCmin): • Tiempo activo de fila (tRASmin): 36ns (min.) • Potencia operativa máxima: 1.980 W* • Clasificación UL: 94 V - 0 • Temperatura de funcionamiento: 0° C a + 85° C • Temperatura de almacenamiento: -55° C a + 100° C

Descripción

El módulo de memoria 1Rx8 CLR SDRAM (DRAM síncrono) 512M x 64-bit (4GB) DDR3-1333 de ValueRAM, basado en ocho componentes DDR3-1333 FBGA de 512M x 8-bit. El SPD está programado para el tiempo de latencia estándar JEDEC DDR3-1333 de 9-9-9 a 1.5V. Este SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto dorados. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

Caracteristícas

• Fuente de alimentación JEDEC estándar de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin
• 8 banco interno independiente
• Latencia CAS programable: 9, 8, 7 , 6
• Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
• Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333)
• Pretracción de 8 bits
• Longitud de ráfaga: 8 (Intercalar sin límite) , secuencial con la dirección de inicio "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite lectura o escritura sin interrupciones [ya sea usando A12 o MRS]
• Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales
• Calibración interna (auto) calibración a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• En la terminación del troquel usando el pin ODT
• Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C <TCASE <95 ° C
• Restablecimiento asincrónico
• PCB: Altura 1.18 "(30 mm), componente de doble cara