Memoria RAM, 4GB 1600MHz DDR3 CL10 DIMM HyperX FURY Blue (HX316C10F/4)

HX316C10F/4

Especificaciones: • CL (IDD): 10 ciclos • Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 48.125ns (min.) • Actualizar a activo / Actualizar: 260ns (min.) • Tiempo de comando (tRFCmin): • Tiempo activo de fila (tRASmin): 37ns (min.) • Potencia operativa máxima: TBD W* • Clasificación UL: 94 V - 0 • Temperatura de funcionamiento: 0° C a + 85° C • Temperatura de almacenamiento: -55° C a + 100° C

Descripción

El módulo HX316C10F / 4 es un módulo de memoria DDR3-1600 CL10 SDRAM (DRAM síncrono) 1Rx8 de 512M x 64 bits (4GB), basado en ocho componentes DDR3 FBGA de 512M x 8 bits. Este módulo ha sido probado para funcionar en DDR3-1600 con un tiempo de latencia baja de 10-10-10 a 1.5V. Los parámetros de sincronización adicionales se muestran en la sección Parámetros de sincronización de PnP a continuación. Las especificaciones eléctricas y mecánicas estándar de JEDEC son las siguientes:

Caracteristícas

• Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin
• 8 banco interno independiente
• Latencia programable CAS: 11, 10, 9 , 8, 7, 6
• Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
• Pretracción de 8 bits
• Longitud de ráfaga: 8 (Intercalar sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite la lectura o escritura sin interrupciones [ya sea usando A12 o MRS]
• Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales
• Calibración interna (auto): auto calibración interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1 %)
• En la terminación de la matriz con el pasador ODT
• Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C <TCASE <95 ° C
• Restablecimiento asincrónico
• Altura 1.291 ”(32.80 mm) con disipador térmico, componente de un solo lado