Memoria RAM, 8GB 1600MHz DDR3L Non-ECC CL11 SODIMM 1.35V (KVR16LS11/8)

KVR16LS11/8

Especificaciones: • CL (IDD): 11 ciclos • Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 48.125ns (min.) • Actualizar a activo / Actualizar: 2060ns (min.) • Tiempo de comando (tRFCmin): • Tiempo activo de fila (tRASmin): 35ns (min.) • Potencia operativa máxima: (1.35V)= 2.721W* • Clasificación UL: 94 V - 0 • Temperatura de funcionamiento: 0° C a + 85° C • Temperatura de almacenamiento: -55° C a + 100° C

Descripción

El KVR26S19S6/4 de KVR16LS11/8 SDRAM DDR3L-1600 CL11 (DRAM síncrona) 1R x 64-bit (8GB) de ValueRAM, 2Rx8, bajo voltaje, módulo de memoria, basado en dieciséis componentes FBGA de 512M x 8-bit. El SPD está programado para la temporización DDR3-1600 de latencia estándar JEDEC del 11-11-11 a 1.35V o 1.5V. Este SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto dorados. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:

Caracteristícas

• Fuente de alimentación estándar JEDEC 1.35V (1.28V ~ 1.45V) y 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) y 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 800MHz fCK para 1600Mb / seg / pin
• 8 bancos internos independientes
• Latencia programable de CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
• Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj
• prebúsqueda de 8 bits
• Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial solo con la dirección inicial "000"), 4 con tCCD = 4 que no permite lectura o escritura sin interrupciones [sobre la marcha usando A12 o MRS]
• Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales
• Calibración interna (auto): auto calibración interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
• En la terminación del troquel utilizando un pin ODT
• Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C <TCASE <95 ° C
• Restablecimiento asincrónico
• PCB: Altura 1.18 ”(30 mm), componente de doble cara